FRAM: Nichtflüchtige Speicherchips

"Ferroelektrikum zurechtgebogen: Stauchen des Kristalls erhöht kritische Temperatur des ferroelektrischen Phasenübergangs
Labormuster ferroelektrischer Speicherchips, kurz FRAM, gibt es seit einigen Jahren, jedoch enthalten sie Stoffe mit leicht diffundierenden Bestandteilen, was für die künftige Massenfertigung nachteilig ist. Barium-Titanat hat hingegen keine leicht diffundierende Bestandteile. Die kritische Temperatur des ferroelektrischen Phasenübergangs von Barium-Titanat lässt sich durch Stauchen des Kristalls von 135 auf mindestens 540 Grad Celsius erhöhen. Zudem lassen sich Speicherzellen mit diesem Stoff kompakter herstellen."

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